近日，吉林大学邹广田院士团队在大尺寸单晶金刚石制备领域取得重大突破，成功研发出拥有自主知识产权的“台阶流调控技术”，并制备出2英寸(50×50mm²)单晶金刚石。相关成果发表于国际学术期刊《FunctionalDiamond,2026,6,2620820》。标志着我国在“下一代超宽禁带半导体”战略材料金刚石的制备技术上迈出关键一步。

　　金刚石以其卓越的物理和电学性能，被誉为“终极半导体”材料，在功率电子、射频器件、量子信息等前沿领域具有广阔应用前景。

　　围绕高质量单晶金刚石制备难题，邹广田团队持续开展系统攻关，在生长机理、晶体质量控制及晶圆加工等方面取得多项原创成果：一是发现“单晶生长区”，实现无边缘多晶伴生稳定生长；二是揭示“一致台阶流”对籽晶拼接缝平滑过渡的关键作用，简化工艺、降低成本；三是联合研发激光隐形切割技术，成功剥离厚度350微米的自支撑单晶金刚石晶圆，尺寸与结晶质量均达到国内外先进水平。

　　吉林大学高压与超硬材料全国重点实验室60余年深耕，从1987年第一片CVD金刚石到2026年2英寸单晶+毫米级六方金刚石+界面优化，形成国内最完整的金刚石研发-制备-应用链条。这一体系支撑国家自主可控，更为全球碳基半导体与超硬技术贡献方案。随着器件集成验证与产学研融合，金刚石必将迎来全面商业化黄金期。